diodu
In i cumpunenti elettronichi, un dispositivu cù dui elettrodi chì permette solu a corrente di flussu in una sola direzzione hè spessu usatu per a so funzione di rettifica. È i diodi di varactor sò usati cum'è condensatori regulabili elettronichi. A direzzione attuale pusseduta da a maiò parte di i diodi hè comunmente chjamata funzione di "rectificazione". A funzione più cumuna di un diodu hè di permette à u currente di passà solu in una sola direzzione (cunnisciutu cum'è bias in avanti), è di bluccà in inversu (cunnisciutu cum'è bias inversa). Dunque, i diodi ponu esse pensati cum'è versioni elettroniche di valvule di cuntrollu.
I primi diodi elettronichi di vacuum; Hè un dispositivu elettronicu chì pò cunduce currente unidirezzione. Ci hè una junction PN cù dui terminali di piombu in u diodu semiconductor, è stu dispusitivu elettronicu hà una conduttività di corrente unidirezionale secondu a direzzione di a tensione applicata. In generale, un diodu di cristallu hè una interfaccia di giunzione pn formata da sinterizzazioni di semiconduttori p-type è n-type. I strati di carica spaziale sò furmati da i dui lati di a so interfaccia, furmendu un campu elettricu autocustruitu. Quandu a tensione applicata hè uguali à cero, a corrente di diffusione causata da a diffarenza di cuncentrazione di i trasportatori di carica in i dui lati di a junction pn è a corrente di deriva causata da u campu elettricu custruitu sò uguali è in un statu di equilibriu elettricu, chì hè ancu a caratteristica di diodi in cundizioni normali.
I primi diodi includenu "cristalli di baffi di gattu" è tubi à vacuum (cunnisciutu cum'è "valvole di ionizzazione termica" in u Regnu Unitu). I diodi più cumuni di l'oghje utilizanu principalmente materiali semiconduttori cum'è siliciu o germaniu.

caratteristica
Pusitivi
Quandu una tensione in avanti hè appiicata, à l'iniziu di a caratteristica in avanti, a tensione in avanti hè assai chjuca è micca abbastanza per superà l'effettu di bloccu di u campu elettricu in a junction PN. U currente avanti hè quasi zero, è sta sezione hè chjamata zona morta. A tensione in avanti chì ùn pò micca fà a cunducta di diodu hè chjamata tensione di zona morta. Quandu a tensione in avanti hè più grande di a tensione di a zona morta, u campu elettricu in a junction PN hè superatu, u diodu conduce in a direzzione avanti, è u currente aumenta rapidamente cù l'aumentu di a tensione. Dentru a norma nurmale di usu currente, a tensione terminale di u diodu ferma quasi custanti durante a cunduzzione, è sta tensione hè chjamata a tensione in avanti di u diodu. Quandu a tensione in avanti à traversu u diodu supera un certu valore, u campu elettricu internu hè rapidamente debilitatu, u currente caratteristicu aumenta rapidamente, è u diodu conduce in a direzzione avanti. Hè chjamatu tensione di soglia o tensione di soglia, chì hè di circa 0.5V per i tubi di siliciu è di circa 0.1V per i tubi di germanium. A caduta di tensione di cunduzzione in avanti di i diodi di siliciu hè di circa 0.6-0.8V, è a caduta di tensione di cunduzzione in avanti di i diodi di germanium hè di circa 0.2-0.3V.
Polarità inversa
Quandu a tensione inversa applicata ùn supera micca un certu intervallu, a corrente chì passa per u diodu hè a corrente inversa formata da u muvimentu di deriva di i trasportatori minoritari. A causa di a piccula corrente inversa, u diodu hè in un statu cut-off. Questa corrente inversa hè ancu cunnisciuta cum'è corrente di saturazione inversa o corrente di fuga, è a corrente di saturazione inversa di un diodu hè assai affettata da a temperatura. A corrente inversa di un transistor di siliciu tipicu hè assai più chjuca di quella di un transistor germanium. U currente di saturazione inversa di un transistor di siliciu di bassa putenza hè in l'ordine di nA, mentre chì quellu di un transistor di germanium di bassa putenza hè in l'ordine di μ A. Quandu a temperatura aumenta, u semiconductor hè eccitatu da u calore, u numeru di i trasportatori minoritari aumentanu, è a corrente di saturazione inversa aumenta ancu in cunseguenza.

rupture
Quandu a tensione inversa applicata supera un certu valore, u currente inversu aumenterà di colpu, chì hè chjamatu rupture elettrica. A tensione critica chì pruvuca a rottura elettrica hè chjamata voltage di diode inversa. Quandu si verifica una rottura elettrica, u diodu perde a so conduttività unidirezionale. Se u diodu ùn si surriscalda per via di una rottura elettrica, a so conduttività unidirezionale ùn pò micca esse distrutta permanentemente. U so funziunamentu pò ancu esse restauratu dopu à sguassà a tensione applicata, altrimenti u diodu serà danatu. Dunque, a tensione inversa eccessiva applicata à u diodu deve esse evitata durante l'usu.
Un diodu hè un dispositivu à dui terminali cù una conduttività unidirezionale, chì pò esse divisu in diodi elettroni è diodi cristalli. I diodi elettronici anu una efficienza più bassa di i diodi di cristalli per via di a perdita di calore di u filamentu, perchè sò raramenti vistu. I diodi di cristalli sò più cumuni è cumunimenti usati. A conduttività unidirezionale di diodi hè aduprata in quasi tutti i circuiti elettronichi, è i diodi semiconductor ghjucanu un rolu impurtante in parechji circuiti. Sò unu di i primi dispusitivi semiconductor è anu una larga gamma di applicazioni.
A caduta di tensione diretta di un diodu di siliciu (tippu micca luminoso) hè 0.7V, mentre chì a caduta di tensione diretta di un diodu di germaniu hè 0.3V. A caduta di tensione in avanti di un diodu emettitore di luce varieghja cù diversi culori luminosi. Ci sò principarmenti trè culori, è i valori di riferenza di caduta di tensione specifichi sò i seguenti: a caduta di tensione di diodi emettitori di luce rossa hè 2.0-2.2V, a caduta di tensione di diodi emettitori di luce gialli hè 1.8-2.0V, è a tensione. goccia di diodi emettitori di luce verde hè 3.0-3.2V. A corrente nominale durante l'emissione di luce normale hè di circa 20 mA.
A tensione è u currente di un diodu ùn sò micca linearmente ligati, per quessa, quandu si cunnessi diversi diodi in parallelu, i resistori adattati devenu esse cunnessi.

curva caratteristica
Cum'è e junctions PN, i diodi anu una conduttività unidirezionale. Curva caratteristica tipica di volt ampere di diodu di siliciu. Quandu una tensione in avanti hè appiicata à un diodu, u currente hè estremamente chjucu quandu u valore di tensione hè bassu; Quandu u voltage supira 0.6V, u currenti accumincia a cresce in modu esponenziale, chì hè comunmente chjamatu u voltage turn-on di u diode; Quandu a tensione righjunghji circa 0.7V, u diodu hè in un statu cumplettamente conduttivu, di solitu chjamatu a tensione di cunduzzione di u diodu, rapprisintatu da u simbulu UD.
Per i diodi di germaniu, a tensione di attivazione hè 0.2V è a tensione di cunduzzione UD hè di circa 0.3V. Quandu una tensione inversa hè appiicata à un diodu, u currente hè estremamente chjucu quandu u valore di tensione hè bassu, è u so valore attuale hè a corrente di saturazione inversa IS. Quandu a tensione inversa supera un certu valore, u currente accumincia a cresce bruscamente, chì hè chjamatu rupture inversa. Sta tensione hè chjamata voltage di rupture inversa di u diodu è hè rapprisintata da u simbulu UBR. I valori UBR di tensione di ruptura di diversi tipi di diodi varienu assai, chì varienu da decine di volti à parechji milla volti.

Ripartizione inversa
rupture Zener
A ripartizione inversa pò esse divisa in dui tipi basati nantu à u miccanisimu: rupture Zener è rotta Avalanche. In u casu di alta concentrazione di doping, per via di a piccula larghezza di a regione di a barriera è di a grande tensione inversa, a struttura di ligami covalenti in a regione di a barriera hè distrutta, facendu chì l'elettroni di valenza si liberanu da i ligami covalenti è generà coppie di buchi elettroni. risultatu in un forte aumentu di a corrente. Stu spartimentu hè chjamatu Zener breakdown. Se a cuncentrazione di doping hè bassu è a larghezza di a regione di a barriera hè larga, ùn hè micca faciule per causà a rottura di Zener.

Avalanga
Un altru tipu di rottura hè a rupture di avalanche. Quandu a tensione inversa aumenta à un grande valore, u campu elettricu applicatu accelera a velocità di a deriva di l'elettroni, causendu scontri cù l'elettroni di valenza in u ligame covalente, caccienduli fora di u ligame covalente è generendu novi coppie di buchi elettroni. I buchi di l'elettroni di novu generati sò accelerati da un campu elettricu è scontranu cù altri elettroni di valenza, pruvucannu una avalanche cum'è l'aumentu di i trasportatori di carica è un forte aumentu di a corrente. Stu tipu di rottura hè chjamata avalanche. Indipendentemente da u tipu di rottura, se u currente ùn hè micca limitatu, pò causà danni permanenti à a junction PN.